以SiCl<,4>-H<,2>为源气体用PCVD方法低温快速生长晶化硅薄膜

摘要：

以SiCl<,4>和H<,2>为气源,用等离子体化学气相沉积技术,通过控制和选择工艺条件,在小于300℃的低温下快速沉积晶化硅薄膜,沉积速率高达3A/s以上.本文研究沉积速率与工艺条件的依赖关系和对薄膜结晶度的影响.

关键词： SiCl<,4>/H<,2>气源 晶化硅薄膜 低温下快速沉积 结晶度 太阳电池

作者: 黄锐 魏俊红 林璇英 余云鹏 林揆训 余楚迎

作者单位: 汕头大学物理系(汕头)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2003年中国太阳能学会学术年会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 159-161

在线出版日期: 2003-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）