以SiCl<,4>-H<,2>为气源制备的多晶硅薄膜的结构特性

摘要：

以SiCl<,4>-H<,2>为气源,用PECVD方法低温沉积多晶硅薄膜.用Raman散射光谱测试样品的纵向结构特性,发现随着薄膜纵向深度的增加,薄膜中硅晶的颗粒尺度逐渐增大.用扫描电子显微镜观察薄膜表面形貌,发现表面是由许多球形、近球形的纳米尺寸的颗粒构聚而成.我们认为,具有晶相结构的纳米晶粒在空间等离子体区形成,然后扩散到衬底,而Cl元素在低温晶化过程中起了很重要的作用.

关键词： 多晶硅薄膜 Raman散射光谱 低温晶化 纵向结构特性 太阳电池

作者: 林璇英 黄创君 余运鹏 余楚迎 林揆训 魏俊红 黄锐

作者单位: 汕头大学物理系(广东汕头)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2003年中国太阳能学会学术年会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 155-158

在线出版日期: 2003-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）