汞溴红敏化的ZnO/SnO<,2>复合光电化学池的光电性质

摘要：

制备了汞溴红敏化的ZnO/SnO<,2>复合光电化学池.在最佳混合比例下,ZnO/SnO<,2>复合光电池在30W/m<”2>522nm单色光的照射下得到0.892mA/cm<”2>的短路光电流(I<,sc>)和0.411V的开路光电压(V<,oc>),从而得到4.64﹪的光电转换效率(η).与ZnO和SnO<,2>光电池相比,复合光电池的I<,sc>均提高,而V<,oc>小于ZnO电池的V<,oc>.光电压谱表明,在复合光电池中,ZnO可能包覆SnO<,2>粒子,染料主要吸附在ZnO粒子上,ZnO和SnO<,2>之间的能量势垒是短路光电流增大的原因.暗电流的测试表明,ZnO加入到SnO<,2>能有效抑制复合电池的暗电流.

关键词： ZnO/SnO<,2> 复合太阳能电池 I-V曲线 暗电流 汞溴红 光敏染料

作者: 潘凯 刘兆阅 张清林 王德军 白玉白 李铁津

作者单位: 吉林大学化学学院

会议类型: 国内会议

会议名称: 2003年中国太阳能学会学术年会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 1044-1048

在线出版日期: 2003-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）