P-nc-Si:H薄膜材料研究及其在微晶硅薄膜太阳电池上的应用
用RF-PECVD技术,在高氢稀释率、高辉光功率条件下获得了高电导率、宽光学带隙的P型纳米硅薄膜材料(σ=0.7S/cm,E<,opt>>2.0eV).将这种材料应用于微晶硅薄膜太阳电池中,其中i-μc-Si:H由VHF-PECVD技术制备,并采用SnO<,2>/ZnO复合透明导电极,电池结构为:glass/SnO<,2>/ZnO/p-nc-Si:H/i-μc-Si:H/n-μc-Si:H.首次获得效率η=4.2﹪的微晶硅薄膜太阳电池(V<,oc>=0.399V,J<,sc>=20.56mA/cm<”2>,FF=51.6﹪).
纳米硅 微晶硅 太阳电池 薄膜材料
朱锋 张晓丹 赵颖 任慧志 孙建 张德坤 熊绍珍 耿新华
天津市南开大学光电子薄膜器件研究所(天津)
国内会议
上海
中文
128-131
2003-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）