PECVD沉积氮化硅薄膜在生长及退火过程中的特性变化及在太阳电池中的应用

摘要：

本文研究了在不同温度下等离子化学气相沉积氮化硅薄膜的特性.发现在220℃~380℃范围内膜的生长速度没有明显的差别,但沉积温度越高,则薄膜的折射率越高,少数载流子寿命也明显升高;Si/N比对氢含量、少子寿命、折射率都有所影响.同时研究了在不同温度下氮化硅薄膜的退火特性,发现退火后薄膜的厚度下降,折射率升高,少子寿命有很大程度的下降.本文还研究了氮化硅薄膜对多晶硅电池性能的影响,发现能较大幅度地提高电池效率.

关键词： 氮化硅薄膜 等离子增强化学气相沉积 太阳电池

作者: 叶小琴 王文静 李艳 励旭东 许颖 周宏余

作者单位: 北京市太阳能研究所(北京) 北京师范大学低能核物理研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2003年中国太阳能学会学术年会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 103-106

在线出版日期: 2003-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）