脉冲直流PCVD在复杂型腔内表面沉积Ti-Si-N薄膜的研究

摘要：

用脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积(PCVD)技术在盲孔的底部和狭缝内侧壁获得Ti-Si-N薄膜.用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能量色散谱仪(EDX)、X射线衍射谱仪(XRD)、球痕法(ball-crater)和显微硬度计(Hk)分析薄膜在不同测试位置处的微观结构和力学性能.结果表明,在盲孔底部,随测试半径增加,Ti-Si-N薄膜中Ti元素含量下降、Si元素含量升高,薄膜厚度下降,膜基复合显微硬度下降;在狭缝侧壁,随测试点偏离轴线距离的增加,薄膜厚度稍稍下降,薄膜中Ti元素含量下降、Si元素含量升高,测试硬度下降.

关键词： 复杂型腔 内表面 等离子体辅助 化学气相沉积 薄膜沉积 钛硅氮薄膜

作者: 马青松 马胜利 徐可为

作者单位: 西安交通大学金属材料强度国家重点实验室(西安)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届全国表面工程学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 389-391

在线出版日期: 2004-04-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）