定向凝固铸造多晶硅材料的EBIC研究

摘要：

本文利用电子束诱生电流(EBIC)对定向凝固生长铸造多晶硅中缺陷的电学性能进行了分析.EBIC结果显示铸造多晶硅中晶界和位错的复合特性与晶锭的凝固位置有关.室温下,晶锭中部样品中的晶界没有明显的EBIC衬度,而在100K时晶界和晶内缺的衬度明显增强.在晶锭底部(最先凝固)和头部(最后凝固)样品中,晶界在室温下呈现很强的EBIC衬度,并在晶界附近形成洁净区.晶锭凝固过程中的杂质分布以及杂质和缺陷之间的作用,决定了不同凝固位置缺陷的复合特性.

关键词： 铸造多晶硅 电子束诱生电流 晶界 太阳能电池 半导体材料

作者: 陈君 杨德仁 席珍强 阙端麟 关口隆史

作者单位: 浙江大学硅材料国家重点实验室;国立物质材料研究所纳米电子光学材料实验室(日本筑波) 浙江大学硅材料国家重点实验室 国立物质材料研究所纳米电子光学材料实验室(日本筑波)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2003年中国太阳能学会学术年会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 44-46

在线出版日期: 2003-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）