RTP工艺中铝背场吸杂对硅片少子寿命影响的研究

摘要：

本文采用P<100>CZ硅片制作硅光单体电池,并对RTP烧结铝背场工艺进行了研究.实验发现:快速热退火工艺对wafer少子寿命有一定影响,硅片经铝背场烧结后寿命变化更加明显,而且氧、碳形态也发生了变化.适当的RTP工艺促成以氧沉淀为主体的络合体.络合体的吸杂及Al-Si界面晶格失配造成的应力吸附作用减少了载流子的复合中心,从而提高了光生载流子的扩散长度,使少子寿命提高.

关键词： RTP吸杂 少子寿命 氧沉淀 太阳能电池

作者: 任丙彦 左燕 霍秀敏 傅洪波 励旭东 王文静 许颖 赵玉文

作者单位: 河北工业大学(天津) 北京太阳能研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2003年中国太阳能学会学术年会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 80-83

在线出版日期: 2003-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）