InGaP/GaAs双结太阳电池

摘要：

本文报道了我们设计研制的InGaP/GaAs双结太阳电池,电池的转换效率在22﹪~24﹪之间(1AM0,28℃),填充因子约80﹪.文中对其材料结构、器件工艺制作以及性能测量表征等方面的问题进行了讨论.

关键词： 光伏 串接太阳电池 化合物半导体 InGaP/GaAs

作者: 张永刚 刘天东 胡雨生 朱诚 南矿军 洪婷 李爱珍

作者单位: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2003年中国太阳能学会学术年会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 261-264

在线出版日期: 2003-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）