高介电常数介质RF MEMS开关的制作研究
本文报道了一种电容式MEMS开关的制作工艺.所有的步骤都采用表面微加工工艺完成.其中,区别于常规采用的Si<,x>N<,y>薄膜,我们采用了高介电常数的Ba<,0.5>Sr<,0.5>TiO<,3>(BST)铁电薄膜作为开关的介电层,使”开””关”状态电容比值大大提高,开关的插入损耗和隔离度性能得到提高.在制作工艺上,我们采用正胶作为牺牲层,并用发烟硝酸进行释放,获得了较好的效果.最终,我们制备了一种高性能的电容式MEMS开关.
射频 微机械 BST 开关
雷啸锋 刘泽文 宣云 李志坚 刘理天
清华大学微电子所(中国北京)
国内会议
北京
中文
325-328
2003-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）