测量LPCVD Si<,3>N<,4>薄膜热导率的尺寸效应
LPCVD Si<,3>N<,4>薄膜的热导率在微电子和MEMS器件的设计过程中都是一个重要的参数.当绝缘薄膜厚度与热能载子——声子的波长或相干常数(常温下约几百nm)相当甚至更小时,其热物性参数的尺寸效应将明显增强.通过我们开发的分布向上腐蚀法,成功的制作出镶嵌有NiCr/Ni热电偶的一系列厚度从50nm到1000nm的LPCVD Si<,3>N<,4>薄膜.我们利用付立叶定律,在大气和10<”-4>torr条件下测量了200nm、500nm、1000nm厚的LPCVD Si<,3>N<,4>薄膜的横向热导率.比较实验测量结果,观察到了固体理论中论述的绝缘薄膜热物性参数的尺寸效应.
LPCVD Si<,3>N<,4>薄膜热导率 分布向上腐蚀法 尺寸效应
张建刚 夏善红 陈绍凤 宋青林
传感技术国家重点实验室,中国科学院电子学研究所(北京)
国内会议
北京
中文
365-367
2003-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）