半导体磁阻型光电传感器中磁场因素的影响
对锑化铟-铟共晶体薄膜磁阻元件施加偏置磁场,同时,用红光LED照射此磁阻元件,使磁场方向与入射光方向平行,并使二者均保持与磁阻元件的表面相垂直,该系统构成半导体磁阻式光电传感器.实验表明,这种光电传感器的输出电压与驱动LED的输入脉冲频率、偏置磁场的磁感应强度大小两个因素都有关.继而结合实验结果,对它们之间的关系从理论上进行了分析,其原因可归结为半导体材料的磁阻效应,即磁场的存在使半导体材料受光照射时内部光生载流子的运动方向发生偏转而引起的结果.
磁阻效应 光电传感器 光生载流子
王冰 黄钊洪
光电子科技学院量子电子学研究所,华南师范大学(中国广州)
国内会议
北京
中文
421-423
2003-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）