用于制备MRAM的高磁电阻磁性隧道结
利用金属掩膜法优化了制备磁性隧道结的实验和工艺条件,金属掩膜的狭缝宽度为100μm.采用4nm厚的Co<,75>Fe<,25>为铁磁电极和1nm或0.8nm厚的铝氧化物为势垒膜,可直接制备出室温磁电阻比值为30~48的磁性隧道结.例如,一个结晶面积为100μm×100μm的磁性隧道结,其室温磁电阻达到41.5﹪,而结电阻为1.87Ω,结电阻和结面积的积矢为18.7kΩμm<”2>,自由层的偏转场为6.2Oe,并且在外加磁场4.6和6.2Oe之间时室温磁电阻比值从0.5﹪跳跃增加到33.5﹪,磁场灵敏度达到20.6﹪/Oe.
磁性隧道结 高磁电阻 磁动态随机存储器
韩秀峰 李飞飞 王伟宁 彭子龙 赵素芬 詹文山
中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室M02组(北京)
国内会议
天津
中文
7-10
2004-05-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）