用磁控溅射法制备具有GMR效应的自旋阀多层膜
本文简单介绍了巨磁电阻(GMR)效应.在玻璃和4英寸Si片上用磁控溅射法,在高真空条件下,制备了结构为Ta/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/MnIr/Ta的项目旋阀(spin valve)多层膜,在室温下测得的磁电阻变化率达9.42﹪,矫顽力为0.87×(10 <”3>4π)A/m.用CoFe/Ru /CoFe的SAF(sythetic antiferromagnetic)结构大大提高了自旋阀材料的交换偏置场.介绍了目前我们已研究和开发的GMR传感器.
GMR效应 自旋阀 磁控溅射 磁电阻
杨芝茵 李伟 刘华瑞 库万军
深圳华夏磁电子技术开发有限公司(深圳) 清华大学微电子所(北京)
国内会议
天津
中文
51-53
2004-05-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）