利用复合磁性层实现自旋极化电子注入半导体的磁电特性研究
本文利用磁控溅射的方法制备了(Co(3nm)/CoZnO(3nm)<,2>/ZnO/ CoZnO(3nm)/FeNi (3nm) <,2>)三明治结构的样品.利用铁磁金属和磁性半导体的复合结构作为磁性注入层.大大降低了磁性半导体的饱和场,获得90K下1.12﹪,室温(290K)0.35﹪的磁电阻.
复合磁性层 自旋极化 半导体 磁电特性
季刚 陈延学 刘宜华 曹强 宋红强 张云鹏 颜世申 梅良模
山东大学物理与微电子学院(济南)
国内会议
天津
中文
73-75
2004-05-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)