钴系纳米图形介质的垂直磁记录性质分析
本论文用介质和磁头场的微磁模拟模型研究了垂直磁记录方式下纳米图形介质的数据存储性质,特别是对钴纳米颗粒磁晶各向异性场不同取向分布的影响进行了分析.针对记录面密度为100Gbit/in<”2>的系统几何参数,计算了钴材料纳米图形介质的磁滞回线,并得到了不同磁晶各向异性取向参数α与矫顽力和回线方形度的关系.对针型单极磁头的产生的磁场进行了三维模拟.为避免可能出现的2种0-1数据错误记录方式,分析了不同磁晶各向异性分布的图形磁介质最优化的数据记录条件,并在方波、三角波、梯形波的写入电流波形选择下进行了比较分析.
纳米图形介质 磁性质 钴纳米材料
王琰 朴琨 韦丹
教育部先进材料重点实验室;清华大学材料科学与工程系(北京)
国内会议
天津
中文
144-148
2004-05-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）