非晶和纳米晶丝中巨磁阻抗效应的计算模拟

摘要：

本文对丝状材料中的巨磁阻抗效应进行了数值分析,计算了丝材料半径、饱和磁化强度和电阻率对磁导率和GMI效应的影响.计算结果显示,磁导率随频率的变化趋势基本与实验相符,实部单调下降,而虚部出现峰值,且两者交于峰值附近.饱和磁化强度M<,s>的增加使得磁导率增加,从而导致GMI效应的增强.而丝半径的增大和电阻率的降低则通过增强材料的趋肤效应而使得GMI增加.

关键词： 巨磁阻抗效应 计算模拟 纳米晶丝

作者: 安康 胡季帆 秦宏伟 张玲 宋鹏

作者单位: 山东大学物理与微电子学院国家晶体材料重点实验室(济南)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议

会议地点: 天津

会议语种:中文

页码: 68-71

在线出版日期: 2004-05-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）