La<,1-⊿>MnO<,3>薄膜的缺陷对巨磁电阻效应的影响
采用溶胶—凝胶方法,用La和Mn的环烷酸盐溶液在LaAlO<,3>(100)基底上合成了La<,1-⊿>MnO<,3>薄膜(0.02<⊿<0.36)样品.阻温特性测量表明⊿>0.05时,薄膜发生了半导体到金属的转变,转变温度随着缺La量的增加而增加,最大磁转变温度在⊿=0.3附近.MR随着缺La量的增加而减少.当缺La量比较少时,大部分缺La位已被空穴所取代;但当缺La量比较大时,缺La位并没有完全被空穴所取代,而是部分分离为Mn<,2>O<,3>相,部分增加了氧缺位.
溶胶-凝胶法 半导体薄膜 巨磁电阻效应
冯尚申 潘国卫 焦正宽
台州学院物理系(临海) 浙江大学物理系(杭州)
国内会议
天津
中文
110-112
2004-05-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）