低强度半导体对脑缺血再灌注大鼠IL-6的影响
目的:观察低强度半导体激光(LISCL)疗法对脑缺血再灌注大鼠IL-6的影响.方法:应用LISCL经腹腔辐照治疗线栓法所制作的大鼠脑缺血再灌注模型,采用免疫组织化学方法检测脑组织IL-6的变化.结果:1.IL-6在正常神经元与胶质细胞仅有少量表达,缺血再灌注6h IL-6表达较正常神经元稍增多但无统计学意义(P>0.05),12h开始在梗死周围区增高,第3天显著增强,以后逐渐下降.2.LISCL治疗后与对照组比较IL-6表达明显降低(P<0.01).结论:LISCL治疗可显著抑制缺血损伤区IL-6过度表达,减轻脑组织的损伤.
白细胞介素-6 半导体激光 脑缺血再灌注
解建波 陈玉芳
山东临沂市人民医院神经内科
国内会议
江苏徐州
中文
158-162
2004-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）