用金属诱导-准分子激光晶化法制备多晶硅薄膜

摘要：

本文提出了一种新的晶化方法——金属诱导准分子激光晶化法(MI-ELA).这个方法在制备多晶硅(p-Si)薄膜中包括两上步聚:第一步是用镍金属诱导方法通过热退火形成NiSi<,2>;第二步是再通过ELA方法晶化形成p-Si,通过XRD,Raman与SEM表征,此方法制备的p-Si薄膜比用ELA方法在同一条件下制备的具有更大的晶粒度和粒度均一性,以及更高的晶化度,用”MI-ELA”方法制备p-Si的机制是基于用MIC方法在420 C左右热退火形成的NiSi<,2>与晶体硅晶格匹配,因此它能在接下来的ELA中起到籽晶的作用.这个方法不但提供了晶粒稳定生长条件,而且也可能使激光的晶化能量展宽.

关键词： 金属诱导晶化 准分子激光晶化 激光晶化 多晶硅薄膜

作者: 廖燕平 邵喜斌 吴渊 骆文生 付国柱 荆海 马凯

作者单位: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所北方液晶工程研究开发中心(吉林长春) 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所北方液晶工程研究开发中心(吉林长春);吉林北方彩晶数码电子有限公司(吉林长春) 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所北方液晶工程研究开发中心(吉林长春);长春联信光电子有限责任公司(吉林长春)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2004中国平板显示学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 99-100

在线出版日期: 2004-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）