金属诱导多晶硅TFT及其有源驱动基板的研究
本文采用金属诱导单一方向横向晶化法(MIUC)进行了多晶硅薄膜晶体管的研究.将薄膜晶体管有源岛制作在镍剩余量较低的横向晶化区;并采用优化的工艺流程,将镍剩余量较高的区域从器件中移出,从而获得高迁移率、高开关比、低域值电压的单栅结构多晶硅薄膜晶体管.以p型MILC poly-Si TFT为基础,采用两管象素单元电路,制备出象素数为160×RGB×120、开口率为46﹪的2.1英寸彩色OLED有源选址基板.用此基板制作的AM-OLED,得到了良好的视频显示效果.
有源驱动 金属诱导 多晶硅 晶体管
吴春亚 孟志国 熊绍珍 王文 郭海成
南开大学薄膜光电子器件与技术研究所;光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室;光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学) 香港科技大学电机与电子工程系(中国,香港九龙清水湾)
国内会议
上海
中文
70-71
2004-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）