化学源金属诱导多晶硅研究
本文报道了用化学源的硅基薄膜金属诱导晶化的试验结果.对于用不同方法沉积得到的非晶硅膜,都能予以晶化.当用不同浓度化学源的金属诱导,晶化效果也存在一定差别.退火气氛亦会对晶化结果产生某些影响.最后对物理源与化学源作诱导金属的晶化结果进行了比较,结果表明,对诱导金属源而言,化学源显示出更为有效的晶化趋势.这些初探给我们的启示是,对金属诱导晶化多晶硅的研究远未止境.
化学源 金属诱导 多晶硅 半导体薄膜
赵淑云 吴春亚 李娟 刘建平 孟志国 熊绍珍
南开大学光电子所;光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学)(中国天津)
国内会议
上海
中文
56-58
2004-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）