退火处理对CdIn<,2>O<,4>薄膜光电特性的影响及温差电动势的研究

摘要：

研究了直流磁控反应溅射制备三元化合物CdIn<,2>O<,4>薄膜(简称CIO膜)的光电性质和温差电动势,及其反应气体中氧浓度和退火处理对CIO膜性质的影响.结果表明CIO膜在可见光区有良好的导电性和透光性,退火处理明显提高了膜的透光率和载流子浓度,这一影响对CIO的广泛应用具有重要的意义.

关键词： 光电特性 退火处理 温差电动势 磁控溅射 半导体薄膜

作者: 杨丰帆 王万录 廖克俊 付光宗 张瑞俭 曹春兰

作者单位: 重庆大学应用物理系(重庆)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2004全国真空冶金与表面工程学术研讨会

会议地点: 沈阳

会议语种:中文

页码: 58-60

在线出版日期: 2004-05-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）