基板温度对金属超薄膜生长影响的模拟研究

摘要：

基板的温度是薄膜生长的一个十分重要的物理参量.通过计算机建立了三个薄膜生长模型比较系统地对不同温度下的薄膜生长过程进行动态地模拟,并比较其模拟结果.MC模型(Monte Carlo)和KMC模型(Kinetic Monte Carlo)仅适用于薄膜的低温生长,并各自在(001)和(111)晶格表面进行生长模拟,通过用Arrhenius方程求概率的方法建立高温生长模型,并运用它对Fe/Fe(001)进行不同温度的模拟比较.

关键词： 计算机模拟 金属薄膜 薄膜生长

作者: 梁焕巢 李林 朱林

作者单位: 东北大学理学院物理系(辽宁沈阳)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2004全国真空冶金与表面工程学术研讨会

会议地点: 沈阳

会议语种:中文

页码: 195-198

在线出版日期: 2004-05-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）