浮体动态存储技术

摘要：

本文提出了双栅双注入单管动态存储单元结构,该结构器件的工作基于势的变化,利用SOI的浮体效应,通过双注入来提高注入效率和减少读取时间.借助二维仿真器模拟分析,结果表明双注入性能优于习用的单注入动态存储器件.文中还分析了以MOS为基的动态存储单元结构的发展:减小芯片面积、提高集成度.动态存储单元从原来的4管、3管发展到现在的成熟产品类1T/1C,直至现今研究热点1T.

关键词： 浮体动态存储 双栅双注入 集成度 系统集成

作者: 翟向坤 李泽宏 张波 李肇基 赵静

作者单位: 电子科技大学微电子研究所(中国成都)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国青年通信学术会议论文集

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 1373-1377

在线出版日期: 2004-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）