一个新的Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT大信号模型

摘要：

本文介绍一个新的Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT大信号模型.通过HBT IC的应用现状将此模型的研究引入;详细阐释了模型拓扑和模型方程开发,且给出模型参数提取及仿真验证结果;最后通过总结得出结论.

关键词： HBT IC 大信号模型 参数提取

作者: 刘军 孙玲玲 王静 文进才

作者单位: 杭州电子科技大学微电子CAD研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 2004全国第十届微波集成电路与移动通信学术会议

会议地点: 云南昆明

会议语种:中文

页码: 177-183

在线出版日期: 2004-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）