硅衬底RF集成电路在片螺旋电感建模及其参数提取
对重掺杂的硅衬底来说,衬底涡流效应已变得较为明显,如何精确的表征这一方面的影响,对于采用标准CMOS工艺以实现SOC的在片螺旋电感建模来说,已显得至关重要.本文给出了一采用Transformer Loop来精确表征涡流效应导致的衬底损耗的在片螺旋电感模型,同时采用阶梯四元件结构和一功率电阻Rp来表征电感的趋肤效应和邻近效应,实现及联电阻的非频变性,可以满足在SPICE等时域仿真器中大小信号及瞬态分析的需要.新的模型同样也适合于对多层电感建模,通过对实际在片电感的验证,给出的模型在较宽的频段内(0~7GHz)能精确的吻合测试数据.
在片螺旋电感 等效电路模型 射频集成电路 趋肤效应 涡流效应
文进才 孙玲玲 闫金星 胡江
杭州电子科技大学微电子CAD研究所(杭州)
国内会议
云南昆明
中文
241-244
2004-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）