9GHz介质振荡器设计
通过采用介质振荡器稳频,设计的FET振荡器,相位噪声在常温25℃时达到-92.8dBc/Hz@10KHz,-45℃时为-91.7dBc/Hz@10KHz,+76℃时为-95.7dBc/Hz@10KHz.
介质振荡器 相位噪声 FET
吴洋
成都西科微波通讯有限公司
国内会议
云南昆明
中文
149-153
2004-10-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
介质振荡器 相位噪声 FET
吴洋
成都西科微波通讯有限公司
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149-153
2004-10-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)