会议专题

Si<”2+>离子与氢原子碰撞电离过程的CTMC计算

应用经典径迹蒙特卡罗方法研究Si<”2+>离子与氢原子碰撞电离反应过程,计算了随入射离子能量变化的总截面、出射电子随角度和能量变化的一阶、二阶微分截面,及出射电子随入射离子能量变化的平均能量.计算结果展示了软碰撞、电子转移到入射离子连续态、两体相遇碰撞等电离机制.通过计算出射电子到入射离子和靶的距离比的电离电子数分布,研究了不同入射离子能量”鞍点”电离机制的可能性.

重粒子碰撞过程 经典径迹蒙特卡罗方法 电离机制 Si<”2+>离子 氢原子 碰撞电离

刘春雷 何斌 宁烨 颜君 王建国

北京应用物理与计算数学研究所(北京)

国内会议

第十二届全国原子与分子物理学术会议

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195-196,200

2004-04-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)