碳化硅泡沫陶瓷烧结温度和烧结机理的研究
将制备碳化硅泡沫陶瓷的浆料通过烘干、制粉、干压成型、烧结来探讨烧结温度对制品性能的影响.试验结果表明样品的最高抗弯强度出现在1400℃、保温2h的工艺条件下,而不是更高的烧结温度1450℃.主要原因在于过高的烧结温度导致碳化硅氧化严重,生成了大量的方石英,方石英在随后的冷却过程中出现微裂纹所致.而碳化硅泡沫陶瓷的烧结机理主要是玻璃相对碳化硅颗粒的包覆、连接作用和新相莫来石的生成.
碳化硅 泡沫陶瓷 烧结温度 烧结机理
刘岩 黄政仁 姚秀敏 江东亮
中科院上海硅酸盐研究所结构陶瓷工程中心(上海)
国内会议
哈尔滨
中文
28-30
2003-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）