生长参数对Bi<,4>Ge<,3>O<,12>晶体能量分辨率的影响

摘要：

Bi<,4>Ge<,3>O<,12>(以下简称BGO)晶体由于其综合优秀性能而被广泛应用于高能物理、空间物理和石油勘探等领域.特别是近年来核医学的发展,大量用于正电子发射断层扫描仪positron emission photography(简称PET).PET应用中要求BGO晶体有较好的能量分辨率和较强的辐照硬度.本文研究了不同温度梯度条件下Bridgman法生长的BGO晶体的能量分辨率和辐照损伤情况.

关键词： 生长参数 Bi<,4>Ge<,3>O<,12>晶体 辐照硬度 能量分辨率

作者: 胡关钦 李贇 徐力

作者单位: 中国科学院上海硅酸盐研究所(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 上海先进无机材料研究与应用论坛

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 132-133

在线出版日期: 2003-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）