ZnO薄膜导电类型的控制与ZnO同质结p-n结的性能研究
ZnO因其独特的电学和光学性质而在短波长光电器件方面具有诱人的应用前景.但由于难以实现p型转变而限制了氧化锌基光电器件的开发应用.本研究采用超声喷雾热解法,通过N和In共掺杂实现了ZnO薄膜的P型转变,并且通过调整In掺杂浓度达到了对其电学性能的控制.优化工艺下制备的p型ZnO薄膜电阻率达5.04×10<”-3>Ω·cm.Hall效应和Seebeck效应测试中首次发现了p型ZnO薄膜在升温过程中向n型转变的物理现象.通过在p型ZnO薄膜上沉积n型ZnO薄膜,成功地制备出了ZnO同质结p-n结.
ZnO薄膜 导电类型控制 同质结p-n结 超声喷雾热解法 电学性能 半导体薄膜
边继明 李效民
中国科学院上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室(上海)
国内会议
上海
中文
8-9
2003-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）