低温Si-GSMBE中Si2H6预热温度对Si生长速率的影响

摘要：

该工作研究了采用GSMBE外延Si/SiGe/Si HBT材料中，Si2H6预热温度对低温Si生长速率的影响，结果表明在一很窄的温区内，Si的生长速旱有很大提高。

关键词： 低温Si-GSMBE Si2H6 预热温度 Si 生长速率

作者: 李建平 刘金平

作者单位: 院半导体所材料中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 宜昌

会议语种:中文

页码: 136～137

在线出版日期: 1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）