用H<,2>O<,2>-H<,2>SO<,4>合成低硫GIC的工艺研究

该文采用化学氧化法在浓硫酸与双氧水混合液中合成了H<,2>O<,2>-H<,2>SO<,4>-GIC,研究了插层工艺掺数如双氧水的浓度、双氧水与浓硫酸的配比以及水洗液的pH值、烘干温度、膨化温度等对膨胀容积和残余硫含量的影响,同时也对整个插层机理进行了探讨,得到了制造低硫膨胀石墨的合理工艺参数。
低硫膨胀石墨 密封材料 残留硫分 膨胀容积
杨东兴 康飞宇 郑永平
清华大学材料科学与工程系(北京)
国内会议
南京
中文
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1999-10-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)