低介电常数绝缘材料在亚0。25微米CMOS工艺中的研究方法

摘要：

随着CMOS工艺的发展，多层金属布线成为艺的瓶颈。当工艺水平达到亚0。25微米时，由于线间距的减少而导致线间电容的增大，RC延迟已到了影响芯片速度的地步。寻找其他低介电常数的绝缘材料来取代二氧化硅是减少RC延迟影响的主要方法。由于新材料的引进而产生了相应的工艺问题。该文将比较一些常见的新材料及工艺。

关键词： 低价电材料 绝缘材料 CMOS工艺

作者: 高腾

作者单位: 比利时IMEC研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 73～81

在线出版日期: 2000-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）