ITO薄膜:从(400)到(222)择优晶化

摘要：

采用超声波喷涂CVD工艺在石英和硅片衬底上沉积出不同择优晶化的ITO(掺Sn的In<,2>O<,3>)薄膜.从300℃到500℃,选择衬底温度,可获得晶面(400)或晶面(222)或二者兼顾的平行于衬底的优化取向ITO薄膜,并采用Van der Pauw方法和XPS技术,研究了与择优晶化有关的薄膜的电学性质和结合能.

关键词： ITO薄膜 择优晶化 电学性质 结合能 化学气相沉积 超声波喷涂

作者: 周之斌 丁正明 崔容强 胡宏勋 孙铁囤 徐秀琴 陈东

作者单位: 上海交通大学物理系太阳能研究所(上海) 上海交通大学理化分析中心(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国第六届光伏会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 161-163

在线出版日期: 2000-10-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）