光学薄膜制备用无栅等离子体源

摘要：

该文介绍一种新型无栅等离子体源辅助成膜技术。该技术的核心部分元栅等离子体源（ＧＩＳ）可在Φ１Ｍ的范围内形成均匀的等离子体，离子流密度高达０．５ｍＡ／ｃｍ〈’２〉，而所需阳极电流仅为４０Ａ、阳极功率３ｋＷ、Φ１Ｍ的范围内郭子流的均匀性为±１５℅，离子能量为５０ｅＶ－１５０ｅＶ。由于ＧＩＳ源的阴极抗氧化，使用寿命长，非常适合应用于光学镀膜。

关键词： 等离子体源 离子辅助成膜 光学薄膜

作者: 尤大伟 李晓谦 王宇

作者单位: 院空间科学与应用研究中心

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国薄膜学术讨论会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 88～91

在线出版日期: 1999-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）