新型MIp<”+>-Al<,0.3>Ga<,0.7>As/p-n-n<”+>-GaAs太阳电池的设计与I-V特性理论分析
为充分利用太阳光的短波部分,将Al<,x>Ga<,1-x>As设计为电池的又一个光伏工作层,并引入固定负电荷,建立界面感应势垒,形成MIp<”+>-AlGaAs感应结,有效降低界面对光生电子的复合.以制作工艺简单的p<”+>-AaGaAs/p-GaAs界面,将感应结与p/n-GaAs部分连接起来,构成新型高效率复合结构MIp<”+>-Al<,0.3>Ga<,0.7>As/p-n-n<”+>-GaAs太阳电池.其I-V特性理论研究结果表明,选择合适的负电荷面密度数和Al<,0.3>Ga<,0.7>As层的掺杂浓度,即:建立合适高度的感应势垒,可显著降低界面复合速度近8个数量级.优化设计得到的整个电池的效率为31.5％,较传统的窗口层电池有明显提高.
MI-AlGaAs/GaAs太阳电池 固定负电荷 感应势垒 I-V特性 光伏材料
涂洁磊 陈庭金 王履芳
云南师范大学太阳能研究所(昆明)
国内会议
上海
中文
666-673
2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）