CMOS IC和MMIC抗静电保护设计

摘要：

本文介绍了CMOS IC和GaAs MMIC抗静电保护电路的基本结构和设计规则.阐述了CMOS IC和GaAs MMIC中常用的二极保护结构单元以及相应的元器件;在设计规则方面列出了在电路设计的基本方法和工艺设计的基本准则.

关键词： CMOS IC MMIC 结构设计 抗静电保护

作者: 来萍 罗宏伟 叶禹康

作者单位: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所 南京电子器件研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 2003第十届全国可靠性物理学术讨论会

会议地点: 西宁

会议语种:中文

页码: 130-134

在线出版日期: 2003-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）