提高GaAs MESFET器件抗静电能力研究

摘要：

在本文中对国内外GaAs MESFET器件抗静电能力进行了比较,简要介绍了GaAs MESFET器件ESD损伤机理,并且根据GaAs MESFET器件ESD损伤机理提出了改进提高GaAs MESFET器件抗静电能力的设计考虑.通过对399支采用不同的材料和不同的工艺方法制作的器件进行抗静电试验结果分析可以看出:采用离子注入材料、采用特别的工艺制作方法以及增大栅长都可以有效的提高器件的抗静电能力.在把这些措施综合使用之后,可以把器件的抗静电能力由原来的300伏提高到700伏.

关键词： 抗静电抗能力 GaAs MESFET ESD损伤

作者: 冯震 王长河 黄礼荣 张绵 刘如青

作者单位: 中国电子科技集团公司第十三研究所(河北省石家庄市)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2003第十届全国可靠性物理学术讨论会

会议地点: 西宁

会议语种:中文

页码: 126-129

在线出版日期: 2003-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）