MBE InGaAs/GaAs量子点及其红外吸收波长调制

摘要：

利用分子束外延技术,自组织生长了具有正入射红外吸收特性的InGaAs/GaAs量子点超晶格结构.通过改变结构参数和生长参数,可改变量子点的形状、尺寸和调制其红外吸收波长,用于研制8~12μm大气窗口的红外探测器.观测发现随着量子点超晶格结构的InGaAs层厚度增加,其红外吸收峰蓝移,用量子点间的耦合作用随In-GaAs层的厚度的增加而增强的观点对其机理给予解释.

关键词： 分子束外延 量子点 红外吸收 砷化镓 铟镓砷化合物 半导体材料

作者: 孔梅影 曾一平 李晋闽

作者单位: 中国科学院半导体研究所新材料部(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第二届全国纳米技术与应用学术会议

会议地点: 宁波

会议语种:中文

页码: 78-80

在线出版日期: 2003-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）