应变自组装InAs/GaAs量子点材料与器件光学性质研究

摘要：

采用MBE技术生长应变自组装InAs/GaAs量子点微结构材料,以这种纳米尺度微结构材料作有源层制备出激光二极管.研究了材料的光致发光和器件电致发光的特性.条宽为100μm、腔长为1.6mm,腔面未经镀膜的量子点激光二极管,室温下最大光功率输出为2.74W.

关键词： 应变自组装量子点 光学性质 激光二极管 分子束外延 砷化铟 砷化镓 半导体材料

作者: 钱家骏 徐波 陈涌海 叶小玲 韩勤 王占国

作者单位: 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室(北京) 中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第二届全国纳米技术与应用学术会议

会议地点: 宁波

会议语种:中文

页码: 51-54

在线出版日期: 2003-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）