应对深亚微米SOC的设计技术
在深亚米SOC设计中,布线的寄生延时将起主导作用,金属线间的偶合效应(CrossTalk)将导致信号完整性(SI)问题及延时的增量变化,消耗电流的增加及布线寄生电阻将导致电压降(IRDrop)及本文分析了深亚微米SOC设计时寄生效应对设计的影响,应对这些效应的设计工具的性能要求,最后简单介绍采用新工具的设计流程的变化.
深亚微米 SOC设计 布线 电压降 寄生效应
张国栋
融科资讯中心(北京)
国内会议
昆明
中文
75-82
2003-08-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)