X射线光刻及其在微电子技术中的应用前景

摘要：

该文介绍了Ｘ射线光刻（ＸＲＬ）技术的原理和特点，分析了该技术在未来微电子技术中的应用前景。摩尔定律预测，半导体工业在２００７年将使用线宽为０．１μｍ的光刻技术。采用波长为１ｎｍ左右的Ｘ射线进行接近式光刻，可以获得线宽为０．１μｍ以下的物理结构，从而满足这一技术要求。与此有关的Ｘ射线光源技术，掩膜技术，光刻胶技术等经过多年的研究已日趋成熟。

关键词： 等离子体 相对论电子束 慢波结构 返波管

作者: 刘泽文

作者单位: 大学微电子学研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国科协第三届青年学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 183～185

在线出版日期: 1998-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）