双电测组合四探针法测试半导体电阻率测准条件

摘要：

经典四探针法测试电阻率,在半导体材料、微电子硅芯片和各类半导体膜、导电膜等的研究与生产中发挥了很大作用,是一个广泛使用的检测手段.长时间以来它限于I<,14>V<,23>单一方式,要求使用等距离的探针.如果针间距离不等或探针有游移,都会造成测量误差;当被测片较小或在大片边缘附近测量时,要计入电场畸变的影响进行边界修正,不同情况下的修正因子公式各异,也都很复杂,修正因子数据量有限,有时难以保证最终结果准确度.

关键词： 双电测组合四探针法 半导体电阻率 电场畸变

作者: 宿昌厚 鲁效明

作者单位: 北京工业大学电子信息与控制工程学院 中国计量科学研究院无线电处

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 434-437

在线出版日期: 2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）