自停止腐蚀硅膜制备技术研究

摘要：

提出了一种适合MEMS器件的自停止腐蚀硅膜制备的方法.此方法利用相对简单的双电极电化学腐蚀系统和与VLSI工艺相兼容的TMAH腐蚀液,并采用硅片的边缘保护技术有效的降低了过腐蚀现象的发生.最后通过实验验证了此方法的可行性,制作出10微米厚的低搀杂硅膜.

关键词： MEMS器件 自停止腐蚀硅膜 过腐蚀现象 低搀杂硅膜

作者: 苗勇 刘玉玲 吕树海

作者单位: 河北工业大学微电子研究所 河北半导体研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 425-427

在线出版日期: 2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）