氮对重掺锑硅单晶中位错的影响

摘要：

本文通过对重掺锑硅单晶在室温压痕下产生的位错在高温热处理后滑移的观测,研究了氮对重掺锑硅单晶中位错的作用.实验表明,重掺锑硅单晶中位错的滑移与普通轻掺单晶有所不同,位错滑移需要一个明显的孕育期.此外,氮杂质的存在使得相同条件下含氮重掺锑硅单晶比普通的重掺锑硅单晶中位错滑移所需要的孕育期更长,滑移距离更短.

关键词： 重掺锑硅单晶 位错 高温热处理 位错滑移

作者: 赵一英 杨德仁 李东升 阙端麟

作者单位: 浙江大学硅材料国家重点实验室(杭州)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 42-45

在线出版日期: 2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）