多晶发射极微波SiGe/Si HBT

摘要：

本文介绍一种多晶发射极微波功率SiGe/Si HBT.该器件采用清华大学微电子学研究所拥有自主知识产权的SGE500 UVC/CVD设备,外延均匀Ge组分应变SiGe基区材料,在 5”圆片0.8umCMOS工艺线上,研制出的器件直流增益=50-300,Pcm=500mW,f<,T>为4-5GHZ.

关键词： SiGe HBT UHV/CVD 多晶发射极 双台面

作者: 张伟 熊小义 刘志弘 许军 付玉霞 单一林 刘爱华 窦维治 王玉东 刘朋 钱佩信

作者单位: 清华大学微电子学研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 414-416

在线出版日期: 2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）