用于90nm技术的等离子氮化超薄栅氧化层的特性研究

摘要：

本文着重探讨了用于90纳米技术的等离子氮化超薄栅氧化层(Plasma nitridated Oxide)的特性.研究了超薄栅氧化层(EOT=1.5纳米)中氮的含量对于器件特性的影响.从超薄栅氧化层比较的结果中,可以看出等离子氮化超薄栅氧化层在有效沟道迁移率,栅漏电流等方面显示其优越性,并在适当的工艺条件下,提高了超薄栅氧化层的在SILC,TDDB和NBTI方面的可靠性.

关键词： 90纳米技术 等离子氮化超薄栅氧化层 可靠性

作者: 何燕冬 许铭真 谭长华 王阳元

作者单位: 北京大学微电子研究院,北京大学

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 411-413

在线出版日期: 2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）