杂质的不完全离化和迁移率的各相异性对4H-SiC MESFET特征频率的影响

摘要：

本文在建立4H-SiC MESFETs的模型的基础上运用二维器件模拟软件MEDICI对4H-SiC MSFETs的高频小信号特性进行了研究.利用正弦稳态分析的方法对4H-SiC MESFETs的高频小信号特性进行了模拟,模拟结果与实验数值进行比较表明在特征频率f<,T>以内得到了较为满意的结果.在此基础上,分析研究了杂质的不完全离化和迁移率的各相异性对4H-SiC MESFET特征频率f<,T>的影响.

关键词： 迁移率 各相异性 4H-SiC MESFET 特征频率

作者: 王雷 张义门 张玉明

作者单位: 西安电子科技大学微电子研究所(西安)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 395-398

在线出版日期: 2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）